SJ 1975-1981 Ｎ沟道结型场效应半导体管 ＣＳ２型低频场效应半导体管
作者:标准资料网 时间:2024-05-25 20:40:24 浏览:9194
来源:标准资料网
基本信息
| 标准名称： | Ｎ沟道结型场效应半导体管 ＣＳ２型低频场效应半导体管 |
| 英文名称： | Detail specification for low frequency field-effect transistors,Type CS2 |
| 中标分类： |
能源、核技术 >>
能源、核技术综合 >>
技术管理 |
| 发布日期： | 1982-01-03 |
| 实施日期： | 1982-07-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 2010-01-20 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 2页 |
适用范围
没有内容
前言
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目录
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引用标准
没有内容
所属分类： 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理
【英文标准名称】:DigitalVideoBroadcasting(DVB)-Secondgenerationframingstructure,channelcodingandmodulationsystemsforBroadcasting,InteractiveServices,NewsGatheringandotherbroadbandsatelliteapplications(V1.1.2).
【原文标准名称】:数字视频广播(DVB).广播、交互服务、新闻采集和其他宽带卫星设施用第二代成帧结构、通道编码和调制系统
【标准号】:NFZ84-307-2006
【标准状态】:作废
【国别】:法国
【发布日期】:2006-12-01
【实施或试行日期】:2006-12-05
【发布单位】:法国标准化协会(FR-AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:M61
【国际标准分类号】:33_060_30;33_170
【页数】:77P.;A4
【正文语种】:其他
Product Code:SAE AMS4957
Title:Titanium Alloy, Round Bar and Wire, 3AI - 8V - 6Cr - 4Mo - 4Zr, Consumable Electrode Melted, Solution Heat Treated and Cold Drawn
Issuing Committee:Ams G Titanium And Refractory Metals Committee
Scope:This specification covers a titanium alloy in the form of round bar and wire, 0.625 inch (15.88 mm) and under in nominal diameter or thickness.
